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292668M58LT128HST8ZA6E-Bild.Micron Technology

M58LT128HST8ZA6E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    M58LT128HST8ZA6E
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 128M PARALLEL 80LBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    85ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 2 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    80-LBGA (10x12)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    80-LBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 52MHz 85ns 80-LBGA (10x12)
  • Uhrfrequenz
    52MHz
  • Basisteilenummer
    M58LT128
  • Zugriffszeit
    85ns
M58LR256KB70ZQ5Z

M58LR256KB70ZQ5Z

Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 88TFBGA

Hersteller: Micron Technology
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M58LT128KSB7ZA6F TR

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

Hersteller: Micron Technology
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M58LR256KT70ZQ5E

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M58LT128HSB8ZA6E

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 80LBGA

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M58LR256KT70ZC5E

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 79VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 80LBGA

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 88TFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

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