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4158670M58WR064EB70ZB6-Bild.Micron Technology

M58WR064EB70ZB6

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  • Artikelnummer
    M58WR064EB70ZB6
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    70ns
  • Spannungsversorgung
    1.65 V ~ 2.2 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    56-VFBGA (7.7x9)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    56-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 66MHz 70ns 56-VFBGA (7.7x9)
  • Uhrfrequenz
    66MHz
  • Basisteilenummer
    M58WR064
  • Zugriffszeit
    70ns

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Hersteller: Micron Technology
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M58WR032KB70ZB6Z

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Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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M58WR064KT7AZB6E

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Beschreibung: IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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M58WR064KT70D16

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Beschreibung: IC FLASH 64M PARALLEL 66MHZ DIE

Hersteller: Micron Technology
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M58WR032KL70ZA6U TR

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Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 44VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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M58WR032KB70ZQ6Z

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Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 88VFBGA

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