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MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    8ms, 2.8ms
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 2 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP2
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Andere Namen
    MT25QU128ABA1ESE-MSITTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (16M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    SPI
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 128Mb (16M x 8) SPI 133MHz 8-SOP2
  • Uhrfrequenz
    133MHz
MT25QU02GCBB8E12-0AAT

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Beschreibung: IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT25QU02GCBB8E12-0SIT

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Beschreibung: IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT25QU128ABA1ESF-0SIT TR

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Beschreibung: IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2

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MT25QU128ABA1EW9-0SIT

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Beschreibung: IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN

Hersteller: Micron Technology
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MT25QU01GBBB8ESF-0AAT TR

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MT25QU128ABA8E12-0AAT

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Beschreibung: IC FLASH 128M SPI 24TPBGA

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MT25QU128ABA1EW7-0SIT

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Beschreibung: IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN

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Beschreibung: IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN

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MT25QU128ABA1ESE-MSIT

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Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 166MHZ 16SOP2

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