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MT25TL512HBA8E12-0AAT TR

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  • Artikelnummer
    MT25TL512HBA8E12-0AAT TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT25TL512HBA8E12-0AAT TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    8ms, 2.8ms
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    24-T-PBGA (6x8)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    24-TBGA
  • Andere Namen
    MT25TL512HBA8E12-0AAT TR-ND
    MT25TL512HBA8E12-0AATTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    SPI
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) SPI 133MHz 24-T-PBGA (6x8)
  • Uhrfrequenz
    133MHz

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Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 24TPBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT25TL256HBA8ESF-0SIT TR

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Beschreibung: SERIAL NOR SLC 32MX8 SOIC DDP

Hersteller: Micron Technology Inc.
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MT25TL512HAA1ESF-0AAT

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Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

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Hersteller: Micron Technology
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MT25TL512BBA8ESF-0AAT

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MT28EW01GABA1HJS-0AAT

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

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Beschreibung: SERIAL NOR SLC 128MX8 TBGA DDP

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Beschreibung: SERIAL NOR SLC 64MX8 TBGA DDP

Hersteller: Micron Technology Inc.
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Beschreibung: SERIAL NOR SLC 64MX8 SOIC DDP

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Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

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Beschreibung: SERIAL NOR SLC 128MX8 SOIC DDP

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Beschreibung: SERIAL NOR SLC 32MX8 SOIC DDP

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Beschreibung: SERIAL NOR SLC 64MX8 TBGA DDP

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