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MT29C1G12MAACYAMD-5 IT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT29C1G12MAACYAMD-5 IT
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    130-VFBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    130-VFBGA
  • Andere Namen
    MT29C1G12MAACYAMD-5 IT-ND
    MT29C1G12MAACYAMD-5IT
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH, RAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 130-VFBGA (8x9)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    MT29C1G12M
MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT

MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT

Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARAL 107VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR

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Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

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Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

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Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

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