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2020528

MT29C4G96MAYBACKD-5 WT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT29C4G96MAYBACKD-5 WT
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    137-TFBGA (10.5x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    137-TFBGA
  • Andere Namen
    MT29C4G96MAYBACKD-5 WT-ND
    MT29C4G96MAYBACKD-5WT
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH, RAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 137-TFBGA (10.5x13)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    MT29C4G96M
MT29C4G96MAZBACJG-5 WT

MT29C4G96MAZBACJG-5 WT

Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT

MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT

Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29C4G96MAZBACJG-5 WT TR

MT29C4G96MAZBACJG-5 WT TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29C4G96MAZAPCJA-5 IT

MT29C4G96MAZAPCJA-5 IT

Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT

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MT29C4G96MAYAMCMJ-5 IT

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

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MT29C4G96MAZBACKD-5 WT

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MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT TR

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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT

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MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR

MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR

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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR

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