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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

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MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

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Spezifikation

Artikelnummer

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

2.7 V ~ 3.6 V
Technologie

FLASH - NAND
Supplier Device-Gehäuse

132-LBGA (12x18)
Serie

-
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

132-LBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

512Gb (64G x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 100MHz 132-LBGA (12x18)
Uhrfrequenz

100MHz
Basisteilenummer

MT29E512G08

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MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

Beschreibung: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR

Beschreibung: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

Beschreibung: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

Beschreibung: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology

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MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology

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MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR

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Beschreibung: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E6T08ETHBBM5-3:B

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Beschreibung: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology

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MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology

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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology

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MT29E512G08CMCCBH7-6:C

MT29E512G08CMCCBH7-6:C

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology

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MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

Beschreibung: IC FLASH 64GBIT 48TSOP

Hersteller: Micron Technology

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MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

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