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MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 128G PARALLEL WAFER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    128Gb (16G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 128Gb (16G x 8) Parallel

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL DIE

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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MT29F128G08CBECBH6-12:C TR

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL DIE

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL WAFER

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MT29F128G08CECABH1-10Z:A

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 52VLGA

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

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MT29F128G08CBEABL85A3WC1

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

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Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

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