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MT29F1G08ABADAH4-E:D

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT29F1G08ABADAH4-E:D
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel

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Beschreibung: IC FLASH 1G SPI SOIC

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G08ABADAH4-ITX:D

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1G SPI SOIC

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 8UPDFN

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Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 8UPDFN

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Beschreibung: IC FLASH 1G SPI SOIC

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Beschreibung: IC FLASH 1G SPI UPDFN

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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Beschreibung: IC FLASH 1G SPI UPDFN

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F1G01ABBFDM78A3WC1

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Beschreibung: IC FLASH SLC 1GBIT 1GX1

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Beschreibung: IC FLASH 1G SPI SOIC

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MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F TR

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Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 16SOP

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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