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MT29F1G16ABBEAMD-IT:E

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  • Artikelnummer
    MT29F1G16ABBEAMD-IT:E
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 1G PARALLEL 130VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    130-VFBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    130-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 130-VFBGA (8x9)
  • Basisteilenummer
    MT29F1G16

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR

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Beschreibung: IC FLASH 1.5T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: TLC 1.5T 192GX8 FBGA QDP

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1.5T PARALLEL 267MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR

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Beschreibung: IC FLASH 1.5T PARALLEL 267MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G16ABCHC-ET:C TR

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Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G16ABBEAHC:E

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E

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MT29F1G16ABBEAHC-IT:E

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MT29F1G16ABCHC:C TR

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