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MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR

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  • Artikelnummer
    MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR-ND
    MT29F1T08CPCBBH8-6R:BTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1Tb (128G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 1Tb (128G x 8) Parallel 167MHz
  • Uhrfrequenz
    167MHz

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 166MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1T08CMCBBJ4-37:B

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 267MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1T08CQCCBG2-6C:C

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1T08CQCBBG2-6R:B TR

MT29F1T08CQCBBG2-6R:B TR

Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1T08CUCABH8-6:A

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 166MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 83MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 267MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

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