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MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR

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  • Artikelnummer
    MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 256G PARALLEL 267MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR-ND
    MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:BTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Gb (32G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) Parallel 267MHz
  • Uhrfrequenz
    267MHz

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 267MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 200MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B

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Beschreibung: IC FLASH

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MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D TR

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

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Beschreibung: MLC 256G 32GX8 TSOP

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 132LBGA

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL WAFER

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

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