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MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR

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  • Artikelnummer
    MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    63-VFBGA (9x11)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    63-VFBGA
  • Andere Namen
    MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR-ND
    MT29F2G08ABAEAH4-ITE:ETR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 63-VFBGA (9x11)
  • Basisteilenummer
    MT29F2G08

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT29F2G08ABAEAM69A3WC1

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

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