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5674748MT29F2G16ABBEAH4:E TR-Bild.Micron Technology

MT29F2G16ABBEAH4:E TR

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  • Artikelnummer
    MT29F2G16ABBEAH4:E TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    63-VFBGA (9x11)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    63-VFBGA
  • Andere Namen
    557-1545-1
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 63-VFBGA (9x11)
  • Basisteilenummer
    MT29F2G16

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

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