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MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR

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  • Artikelnummer
    MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR-ND
    MT29F3T08EUCBBM4-37ES:BTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    3Tb (384G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 3Tb (384G x 8) Parallel 267MHz
  • Uhrfrequenz
    267MHz

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Beschreibung: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ

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Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 384G PARALLEL WAFER

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