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MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR

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  • Artikelnummer
    MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR-ND
    MT29F512G08CMEABH7-12IT:ATR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Gb (64G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 83MHz
  • Uhrfrequenz
    83MHz

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Beschreibung: MLC 512G 64GX8 VBGA IT QDP L05B

Hersteller: Micron Technology
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MT29F512G08CMECBH7-12:C TR

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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F512G08CMCBBH7-6R:B

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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

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Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 52VLGA

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