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1209502MT29F8G16ADBDAH4:D-Bild.Micron Technology

MT29F8G16ADBDAH4:D

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  • Artikelnummer
    MT29F8G16ADBDAH4:D
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    63-VFBGA (9x11)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    63-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    8Gb (512M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel 63-VFBGA (9x11)
  • Basisteilenummer
    MT29F8G16

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL

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MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4

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Beschreibung: IC FLASH 36G MLC DDR

Hersteller: Micron Technology
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MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC MEMORY

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL

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MT29F8G16ABBCAH4:C

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL WAFER

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 36G MLC DDR

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Beschreibung: IC MEMORY

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