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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
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MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.8V
  • Technologie
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR-ND
    MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83GTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH, RAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
  • Uhrfrequenz
    533MHz
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H

Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G

MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G

Beschreibung: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0

MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0

Beschreibung: IC FLASH 1.5G DDR

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

Beschreibung: MASSFLASH/LPDDR2 6G

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

Beschreibung: IC FLASH 1.5G DDR

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

Beschreibung: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

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Beschreibung: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

Beschreibung: IC FLASH 1.5G DDR

Hersteller: Micron Technology
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MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

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Beschreibung: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

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MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR

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Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

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