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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

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MT40A1G8WE-083E AUT:B TR-Bild.

Micron Technology

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.14 V ~ 1.26 V
Technologie

SDRAM - DDR4
Supplier Device-Gehäuse

78-FBGA (8x12)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

78-TFBGA
Andere Namen

557-1684-2
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (8x12)
Uhrfrequenz

1.2GHz

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MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A256M16GE-075E AIT:B

MT40A256M16GE-075E AIT:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A1G8WE-075E:B TR

MT40A1G8WE-075E:B TR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A1G8WE-075E:B

MT40A1G8WE-075E:B

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A256M16GE-062E IT:B TR

MT40A256M16GE-062E IT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A1G8WE-083E IT:B TR

MT40A1G8WE-083E IT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A1G8WE-083E AIT:B

MT40A1G8WE-083E AIT:B

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A1G8Z01AWC1

MT40A1G8Z01AWC1

Beschreibung: DDR4 8G DIE 1GX8

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A1G8WE-075E:D TR

MT40A1G8WE-075E:D TR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A1G8WE-083E AAT:B

MT40A1G8WE-083E AAT:B

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A1G8WE-083E AUT:B

MT40A1G8WE-083E AUT:B

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A256M16GE-062E:B TR

MT40A256M16GE-062E:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A256M16GE-062E:B

MT40A256M16GE-062E:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A1G8WE-075E IT:B TR

MT40A1G8WE-075E IT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT40A1G8WE-083E:B TR

MT40A1G8WE-083E:B TR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT40A1G8WE-075E:D

MT40A1G8WE-075E:D

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology

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MT40A256M16GE-062E IT:B

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

Hersteller: Micron Technology

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MT40A256M16GE-075E AAT:B

MT40A256M16GE-075E AAT:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

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