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3106783MT40A512M8HX-083E:A-Bild.Micron Technology

MT40A512M8HX-083E:A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT40A512M8HX-083E:A
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR4
  • Supplier Device-Gehäuse
    78-FBGA (9x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    78-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (9x11.5)
  • Uhrfrequenz
    1.2GHz
MT40A512M16LY-062E:E

MT40A512M16LY-062E:E

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A512M8RH-075E AUT:B

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A512M8RH-075E AAT:B

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A512M16Z01AWC1

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Beschreibung: DDR4 8G DIE 512MX16

Hersteller: Micron Technology
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MT40A512M16JY-083E IT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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MT40A512M8RH-062E:B

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

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MT40A512M8RH-075E AUT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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MT40A512M16LY-062E IT:E

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Beschreibung:

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MT40A512M8RH-075E AIT:B

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A512M8HX-093E:A

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT40A512M16LY-075:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A512M8RH-075E AAT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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