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MT41J64M16JT-125E:G

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  • Artikelnummer
    MT41J64M16JT-125E:G
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT41J64M16JT-125E:G.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    96-FBGA (8x14)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    96-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 800MHz 96-FBGA (8x14)
  • Uhrfrequenz
    800MHz
  • Basisteilenummer
    MT41J64M16

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41J64M16JT-125:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41J512M8THU-187E:A

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT41J64M16JT-15E XIT:G

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41J64M16JT-15E XIT:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41J512M8THD-15E:D

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 667MHZ

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MT41J512M8RH-093:E

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41J512M8THD-187E:D

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41J64M16JT-15E AIT:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41J64M16JT-15E:G

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