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MT41K128M16JT-125 V:K

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  • Artikelnummer
    MT41K128M16JT-125 V:K
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Supplier Device-Gehäuse
    96-FBGA (8x14)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    96-TFBGA
  • Andere Namen
    MT41K128M16JT-125 V:K-ND
    MT41K128M16JT-125V:K
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 13.75ns 96-FBGA (8x14)
  • Uhrfrequenz
    800MHz
  • Zugriffszeit
    13.75ns

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K128M16JT-125 M AIT:K

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K128M8DA-107 AIT:J TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K128M16V89C3WC1

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Beschreibung: DDR3 2G DIE 128MX16

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MT41K128M16JT-125 IT:K TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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MT41K128M16JT-125 IT:K

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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MT41K128M16JT-125 AUT:K

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

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