Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT41K256M16TW-107 AAT:P
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3520660MT41K256M16TW-107 AAT:P-Bild.Micron Technology

MT41K256M16TW-107 AAT:P

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1368+
$12.978
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT41K256M16TW-107 AAT:P
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT41K256M16TW-107 AAT:P.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Supplier Device-Gehäuse
    96-FBGA (8x14)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    96-TFBGA
  • Andere Namen
    MT41K256M16TW-107 AAT:P-ND
    MT41K256M16TW-107AAT:P
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (256M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
  • Uhrfrequenz
    933MHz
  • Zugriffszeit
    20ns

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MT41K256M16TW-107 AAT:P" -Einziper.
MT41K256M16LY-107:N TR

MT41K256M16LY-107:N TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P

MT41K256M16TW-107 AT:P

Beschreibung: MEMORY DRAM

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16LY-093:N

MT41K256M16LY-093:N

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-093:P TR

MT41K256M16TW-093:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 AIT:P

MT41K256M16TW-107 AIT:P

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-093 IT:P

MT41K256M16TW-093 IT:P

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P TR

MT41K256M16TW-107 V:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P

MT41K256M16TW-107 V:P

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16LY-107:N

MT41K256M16LY-107:N

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16LY-093:N TR

MT41K256M16LY-093:N TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P

MT41K256M16TW-107 AUT:P

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-093:P

MT41K256M16TW-093:P

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16RE-15E IT:D

MT41K256M16RE-15E IT:D

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-093 IT:P TR

MT41K256M16TW-093 IT:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P TR

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

Beschreibung: MEMORY DRAM

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16HA-125:E TR

MT41K256M16HA-125:E TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.