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MT41K2G4RKB-107:N

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT41K2G4RKB-107:N
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Supplier Device-Gehäuse
    78-FBGA (8x10.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    78-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    8Gb (2G x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 933MHz 20ns 78-FBGA (8x10.5)
  • Uhrfrequenz
    933MHz
  • Zugriffszeit
    20ns

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K2G4RKB-107:N TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K2G8KJR-125:A

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Beschreibung: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

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MT41K256M8DA-125 IT:K

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K2G4SN-125:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M8DA-125:M

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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MT41K256M8HX-187E:D

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Hersteller: Micron Technology
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MT41K2G8KJR-125:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M8DA-125 AUT:K TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

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MT41K2G4SN-125:A

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MT41K256M8HX-15E:D

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MT41K256M8V89CWC1

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL DIE

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MT41K2G4TRF-125:E TR

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MT41K256M8DA-125:K TR

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MT41K2G4TRF-125:E

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MT41K2G4TRF-107:E

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MT41K256M8DA-125:K

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