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MT44K32M18RB-093F:B

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Spezifikation

Artikelnummer

MT44K32M18RB-093F:B
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT44K32M18RB-093F:B.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.28 V ~ 1.42 V
Technologie

DRAM
Serie

-
Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

576Mb (32M x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 1067MHz 7.5ns
Uhrfrequenz

1067MHz
Zugriffszeit

7.5ns

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-093:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-093E:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-107:A

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-093E IT:A

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-107E:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-107:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-093:A

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-125:A

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-093F:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-107E IT:B

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-107E:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-093E:B

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Hersteller: Micron Technology

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Hersteller: Micron Technology

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