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MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C

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Spezifikation

Artikelnummer

MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR
Supplier Device-Gehäuse

90-VFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

90-VFBGA
Andere Namen

MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C-ND
MT46H16M32LFBQ-5AIT:C
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

200MHz
Basisteilenummer

MT46H16M32
Zugriffszeit

5.0ns

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MT46H16M32LFCG-6 IT:B

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 152VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR

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Hersteller: Micron Technology

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MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR

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MT46H16M32LFB5-6 AT:C

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MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR

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MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C

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MT46H16M32LFB5-6 IT:C

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MT46H16M32LFB5-5 IT:C

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MT46H16M32LFB5-6 AIT:C

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MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C TR

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MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR

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MT46H16M32LFCM-6 IT TR

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