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MT46H32M32LFB5-5 AT:B

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  • Artikelnummer
    MT46H32M32LFB5-5 AT:B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    90-VFBGA
  • Andere Namen
    MT46H32M32LFB5-5 AT:B-ND
    MT46H32M32LFB5-5AT:B
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (32M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 200MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    MT46H32M32
  • Zugriffszeit
    5.0ns
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B

MT46H32M32LFB5-5 AAT:B

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT46H32M16LFCK-6 TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT46H32M32LFB5-48 IT:B TR

MT46H32M32LFB5-48 IT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT46H32M32LFB5-48 IT:B

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

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MT46H32M32LFB5-6 AT:B TR

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MT46H32M32LFB5-6 IT:B

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MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR

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MT46H32M32LFCG-5 IT:A

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA

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MT46H32M32LFCG-5 IT:A TR

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MT46H32M32LFB5-5 IT:B

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MT46H32M32LFCG-6 IT:A

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MT46H32M32LFB5-5 AIT:B

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

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MT46H32M16LFBF-6:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

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MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR

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MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR

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MT46H32M16LFCK-6 IT TR

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MT46H32M32LFB5-6 AT:B

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