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5303352MT46V128M4FN-6:D TR-Bild.Micron Technology

MT46V128M4FN-6:D TR

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  • Artikelnummer
    MT46V128M4FN-6:D TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (10x12.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Andere Namen
    557-1012-1
    MT46V128M4FN6DTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (128M x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 167MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Uhrfrequenz
    167MHz
  • Basisteilenummer
    MT46V128M4
  • Zugriffszeit
    700ps
MT46V128M4P-5B:J TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT46V128M4BN-6:F

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V128M4BN-75:D

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MT46V128M4P-5B:F TR

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MT46V128M4FN-75Z:D

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

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MT46V128M4FN-75:D

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