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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT46V16M16CY-5B AAT:M

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MT46V16M16CY-5B AAT:M-Bild.

Micron Technology

MT46V16M16CY-5B AAT:M

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Spezifikation

Artikelnummer

MT46V16M16CY-5B AAT:M
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT46V16M16CY-5B AAT:M.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

2.5 V ~ 2.7 V
Technologie

SDRAM - DDR
Supplier Device-Gehäuse

60-FBGA (8x12.5)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

60-TFBGA
Andere Namen

MT46V16M16CY-5B AAT:M-ND
MT46V16M16CY-5BAAT:M
Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (8x12.5)
Uhrfrequenz

200MHz
Basisteilenummer

MT46V16M16
Zugriffszeit

700ps

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Das Folgende sind "MT46V16M16CY-5B AAT:M" -Einziper.

MT46V128M8TG-6T:A TR

MT46V128M8TG-6T:A TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16BG-6 IT:F TR

MT46V16M16BG-6 IT:F TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16CY-5B AIT:M TR

MT46V16M16CY-5B AIT:M TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V128M8P-75:A

MT46V128M8P-75:A

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16CY-5B IT:M TR

MT46V16M16CY-5B IT:M TR

Beschreibung: IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60FBGA

Hersteller: Micron Technology Inc.

vorrätig

MT46V16M16CY-5B IT:M

MT46V16M16CY-5B IT:M

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16CY-5B XIT:M

MT46V16M16CY-5B XIT:M

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16CY-5B:M TR

MT46V16M16CY-5B:M TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16BG-6:F TR

MT46V16M16BG-6:F TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16CY-5B AIT:M

MT46V16M16CY-5B AIT:M

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16CY-5B AAT:M TR

MT46V16M16CY-5B AAT:M TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V128M8TG-6T:A

MT46V128M8TG-6T:A

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16CY-5B XIT:M TR

MT46V16M16CY-5B XIT:M TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V128M8TG-75:A TR

MT46V128M8TG-75:A TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16BG-5B:F TR

MT46V16M16BG-5B:F TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V128M8TG-75:A

MT46V128M8TG-75:A

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16CY-5B:M

MT46V16M16CY-5B:M

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V128M8P-75:A TR

MT46V128M8P-75:A TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16CY-5B:K TR

MT46V16M16CY-5B:K TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V16M16BG-6:F

MT46V16M16BG-6:F

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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