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3434808MT46V32M16FN-6:C-Bild.Micron Technology

MT46V32M16FN-6:C

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  • Artikelnummer
    MT46V32M16FN-6:C
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (10x12.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 167MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Uhrfrequenz
    167MHz
  • Basisteilenummer
    MT46V32M16
  • Zugriffszeit
    700ps
MT46V32M16FN-5B:F

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT46V32M16FN-6 IT:F

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16FN-6:F TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16FN-75 L:C

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16FN-6 IT:F TR

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Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16CY-5B:J

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MT46V32M16FN-75 L:C TR

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MT46V32M16FN-5B:C

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MT46V32M16FN-75 IT:C TR

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MT46V32M16FN-6 IT:C

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MT46V32M16FN-6:C TR

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MT46V32M16FN-6:F

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MT46V32M16FN-5B:F TR

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Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16P-5B AIT:J

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V32M16FN-75:C TR

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MT46V32M16CY-5B:J TR

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MT46V32M16FN-5B:C TR

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MT46V32M16FN-75 IT:C

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