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MT46V32M16P-6T:F

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  • Artikelnummer
    MT46V32M16P-6T:F
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT46V32M16P-6T:F.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    66-TSOP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 167MHz 700ps 66-TSOP
  • Uhrfrequenz
    167MHz
  • Basisteilenummer
    MT46V32M16
  • Zugriffszeit
    700ps

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Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16P-6T:C

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16P-6T L:F TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16P-5B:J

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Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16P-6T L:F

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Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16P-75 IT:C TR

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MT46V32M16P-75 IT:C

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Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16P-6T IT:F

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Beschreibung: DDR 512M DIE 32MX16

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MT46V32M16P-75:C

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