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5548553MT46V32M16TG-75E:C TR-Bild.Micron Technology

MT46V32M16TG-75E:C TR

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  • Artikelnummer
    MT46V32M16TG-75E:C TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    66-TSOP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    MT46V32M16TG-75E:C TR-ND
    MT46V32M16TG-75E:CTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 750ps 66-TSOP
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Basisteilenummer
    MT46V32M16
  • Zugriffszeit
    750ps
MT46V32M16TG-75Z:C

MT46V32M16TG-75Z:C

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT46V32M16TG-6T:F

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M16TG-75:C

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M4TG-75:D

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT46V32M4P-5B:D

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

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MT46V32M4P-6T:D TR

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MT46V32M16TG-75 L:C TR

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MT46V32M16TG-75E:C

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MT46V32M4TG-5B:D

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MT46V32M16TG-75:C TR

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MT46V32M4P-6T:D

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MT46V32M16TG-75 L:C

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MT46V32M16TG-75 IT:C TR

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MT46V32M4TG-6T:D TR

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MT46V32M16TG-75 IT:C

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MT46V32M16TG-75Z:C TR

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