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MT46V64M8FN-5B:D TR-Bild.

Micron Technology

MT46V64M8FN-5B:D TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT46V64M8FN-5B:D TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

MT46V64M8FN-5B:D TR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

2.5 V ~ 2.7 V
Technologie

SDRAM - DDR
Supplier Device-Gehäuse

60-FBGA (10x12.5)
Serie

-
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

60-TFBGA
Andere Namen

557-1035-1
MT46V64M8FN-5B:D
MT46V64M8FN-5B:F
MT46V64M8FN5BDTR
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

5 (48 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
Uhrfrequenz

200MHz
Basisteilenummer

MT46V64M8
Zugriffszeit

700ps

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MT46V64M8FN-6:F TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT46V64M8CV-5B:J

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MT46V64M8FN-75 IT:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT46V64M8FN-6:D TR

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MT46V64M8CY-5B IT:J

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MT46V64M8CY-5B IT:J TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT46V64M8CV-5B:J TR

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Hersteller: Micron Technology

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MT46V64M8FN-6 IT:F

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Hersteller: Micron Technology

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MT46V64M8FN-6 IT:F TR

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MT46V64M8CY-5B AIT:J

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MT46V64M8FN-75:D TR

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MT46V64M8CY-5B L:J TR

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MT46V64M8FN-75:D

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MT46V64M8FN-75 L:D

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MT46V64M8CY-5B:J TR

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MT46V64M8CY-5B:J

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MT46V64M8FN-75 IT:D

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MT46V64M8CY-5B AIT:J TR

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MT46V64M8FN-75 L:D TR

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MT46V64M8CY-5B L:J

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