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6840341MT47H256M4CF-25:H-Bild.Micron Technology

MT47H256M4CF-25:H

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  • Artikelnummer
    MT47H256M4CF-25:H
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT47H256M4CF-25:H.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (8x10)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (256M x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H256M4
  • Zugriffszeit
    400ps

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MT47H256M4B7-37E:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H256M4CF-3:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H1G4WTR-25E:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H256M4CF-25E:H

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Hersteller: Micron Technology
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MT47H1G4WTR-25E:C

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H16M16BG-5E:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H256M4HQ-3:E TR

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MT47H256M4CF-3 IT:H

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MT47H256M4BT-5E:A

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MT47H256M4BT-3:A

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MT47H256M4B7-5E:A

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MT47H256M4SH-25E:M

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