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MT48H16M32L2F5-10-Bild.

Micron Technology

MT48H16M32L2F5-10

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Spezifikation

Artikelnummer

MT48H16M32L2F5-10
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

MT48H16M32L2F5-10.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR
Supplier Device-Gehäuse

90-VFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

90-VFBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 100MHz 7.5ns 90-VFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

100MHz
Basisteilenummer

MT48H16M32
Zugriffszeit

7.5ns

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MT48H16M32L2B5-10

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT48H16M32L2B5-10 TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT48H16M32L2B5-8 TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT48H16M16LFBF-75:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H16M32L2F5-10 IT TR

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Hersteller: Micron Technology

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MT48H16M32L2B5-8

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Hersteller: Micron Technology

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MT48H16M32L2F5-8

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT48H16M32L2B5-10 IT

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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MT48H16M32L2F5-10 TR

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MT48H16M32L2F5-8 IT

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MT48H16M16LFBF-75:H

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