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6232779MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR-Bild.Micron Technology

MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR

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  • Artikelnummer
    MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-VFBGA (6x9)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    54-VFBGA
  • Andere Namen
    557-1389-2
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA (6x9)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Basisteilenummer
    MT48H32M16
  • Zugriffszeit
    5.4ns
MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR

MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT48H4M16LFB4-75 IT:H

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT48H4M16LFB4-10

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT48H32M16LFB4-75 IT:C

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT48H32M16LFCJ-75:A TR

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MT48H4M16LFB4-75 IT:H TR

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MT48H32M16LFB4-75B IT:C

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MT48H32M16LFB4-6 IT:C

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MT48H4M16LFB4-10 TR

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MT48H32M16LFB4-75 IT:C TR

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MT48H32M16LFB4-75B IT:C TR

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MT48H32M16LFBF-6:B

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MT48H32M16LFBF-6:B TR

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MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR

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MT48H4M16LFB4-10 IT

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MT48H4M16LFB4-75:H

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MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR

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