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4802234MT48H8M16LFB4-8 IT:J-Bild.Micron Technology

MT48H8M16LFB4-8 IT:J

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT48H8M16LFB4-8 IT:J
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-VFBGA (8x8)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    54-VFBGA
  • Andere Namen
    MT48H8M16LFB4-8 IT:J-ND
    MT48H8M16LFB4-8IT:J
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 125MHz 7ns 54-VFBGA (8x8)
  • Uhrfrequenz
    125MHz
  • Basisteilenummer
    MT48H8M16
  • Zugriffszeit
    7ns
MT48H8M16LFB4-8:J TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT48H8M16LFB4-75:K

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT48H8M16LFF4-10 IT

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT48H8M32LFB5-10 IT

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT48H8M32LFB5-10

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H8M16LFF4-8 IT

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MT48H8M16LFF4-10

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MT48H8M16LFB4-75:K TR

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MT48H8M16LFB4-10

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MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR

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MT48H8M16LFB4-6 IT:K

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MT48H8M16LFB4-75 IT:K

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MT48H8M16LFF4-8

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MT48H8M16LFB4-6:K TR

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MT48H8M16LFB4-8:J

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