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MT49H16M18SJ-25:B-Bild.

Micron Technology

MT49H16M18SJ-25:B

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Spezifikation

Artikelnummer

MT49H16M18SJ-25:B
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.MT49H16M18SJ-25:B.pdf
2.MT49H16M18SJ-25:B.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

DRAM
Supplier Device-Gehäuse

144-FBGA (18.5x11)
Serie

-
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

144-TBGA
Andere Namen

557-1587
MT49H16M18BM-25:B
MT49H16M18BM-25:B-ND
MT49H16M18BM-33:B
MT49H16M18BM-33:B-ND
MT49H16M18SJ-25:B-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

288Mb (16M x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

DRAM Memory IC 288Mb (16M x 18) Parallel 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)
Uhrfrequenz

400MHz
Basisteilenummer

MT49H16M18
Zugriffszeit

20ns

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Das Folgende sind "MT49H16M18SJ-25:B" -Einziper.

MT49H16M36BM-25:A

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M36BM-18:B

MT49H16M36BM-18:B

Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M18SJ-25 IT:B

MT49H16M18SJ-25 IT:B

Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M36BM-25 IT:B TR

MT49H16M36BM-25 IT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M18SJ-25:B TR

MT49H16M18SJ-25:B TR

Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M36BM-25 IT:B

MT49H16M36BM-25 IT:B

Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M18FM-33:B TR

MT49H16M18FM-33:B TR

Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M36BM-18 IT:B

MT49H16M36BM-18 IT:B

Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M18FM-25 IT:B TR

MT49H16M18FM-25 IT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M18FM-25 IT:B

MT49H16M18FM-25 IT:B

Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M18FM-33:B

MT49H16M18FM-33:B

Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M18SJ-25 IT:B TR

MT49H16M18SJ-25 IT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT49H16M36BM-25:A TR

MT49H16M36BM-25:A TR

Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M18CTR-25:B

MT49H16M18CTR-25:B

Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT49H16M36BM-18:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT49H16M18FM-33 TR

MT49H16M18FM-33 TR

Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT49H16M36BM-25:B

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

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MT49H16M18FM-25 TR

MT49H16M18FM-25 TR

Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

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MT49H16M18FM-25:B

MT49H16M18FM-25:B

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MT49H16M36BM-18 IT:B TR

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