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MT49H64M9FM-25E:B TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT49H64M9FM-25E:B TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT49H64M9FM-25E:B TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    DRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    144-µBGA (18.5x11)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    144-TFBGA
  • Andere Namen
    MT49H64M9FM-25E:B TR-ND
    MT49H64M9FM-25E:BTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    576Mb (64M x 9)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Zugriffszeit
    15ns

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Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

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MT49H8M36BM-25 IT:B

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Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

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MT49H8M36BM-33 IT:B

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MT49H8M36BM-25:B TR

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Hersteller: Micron Technology
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MT49H8M36BM-25E:B

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MT49H32M9FM-33:B TR

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MT49H32M9FM-33:B

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MT49H8M36BM-18:B

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