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MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR

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  • Artikelnummer
    MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 16G 933MHZ FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.2V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR-ND
    MT52L256M64D2PD-107XTES:BTR
  • Betriebstemperatur
    -
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Gb (256M x 64)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (256M x 64) 933MHz
  • Uhrfrequenz
    933MHz

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Beschreibung: IC DRAM 16G 800MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 16G 800MHZ FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

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MT52L256M64D2LZ-107 XT:B

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Beschreibung: IC DRAM 16G 933MHZ

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MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR

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MT52L4DAGN-DC

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Beschreibung: SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

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