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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR
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MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 8G 1866MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR-ND
    MT53B256M32D1NP-053WT:CTR
  • Betriebstemperatur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    8Gb (256M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1866MHz
  • Uhrfrequenz
    1866MHz
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

Beschreibung: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR

MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C

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Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C

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Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1NP-053 WT:C

MT53B256M32D1NP-053 WT:C

Beschreibung: IC DRAM 8G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B256M32D1NP-062 AUT:C

MT53B256M32D1NP-062 AUT:C

Beschreibung: IC SDRAM 8GBIT 1.6GHZ 200FBGA

Hersteller: Micron Technology Inc.
vorrätig
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B256M32D1NP-062 WT:C

MT53B256M32D1NP-062 WT:C

Beschreibung: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

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