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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT53B384M32D2DS-062 AAT:B
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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT53B384M32D2DS-062 AAT:B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 12G 1600MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    MT53B384M32D2DS-062 AAT:B-ND
    MT53B384M32D2DS-062AAT:B
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    12Gb (384M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 1600MHz
  • Uhrfrequenz
    1600MHz
MT53B2DDNP-DC TR

MT53B2DDNP-DC TR

Beschreibung: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M32D2DS-062 XT:B

MT53B384M32D2DS-062 XT:B

Beschreibung: IC DRAM 12G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M32D2NP-053 WT:B

MT53B384M32D2NP-053 WT:B

Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR

MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR

Beschreibung: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M16D1Z0AQWC1

MT53B384M16D1Z0AQWC1

Beschreibung: IC SDRAM 6GBIT DIE

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B

Beschreibung: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

Beschreibung: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M16D1Z0APWC1

MT53B384M16D1Z0APWC1

Beschreibung: IC SDRAM 6GBIT DIE

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR

MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 12G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B2G32D8QD-062 WT:D

MT53B2G32D8QD-062 WT:D

Beschreibung: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR

MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 12G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D

MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D

Beschreibung: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B

MT53B384M32D2DS-062 AUT:B

Beschreibung: IC DRAM 12G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR

MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 12G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B

MT53B384M32D2DS-062 AIT:B

Beschreibung: IC DRAM 12G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B

MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B

Beschreibung: IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B2DDNP-DC

MT53B2DDNP-DC

Beschreibung: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR

MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR

Beschreibung: IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR

MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 12G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D TR

MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D TR

Beschreibung: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Hersteller: Micron Technology
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