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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR
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MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR-ND
    MT53B768M64D8BV-062WTES:BTR
  • Betriebstemperatur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    48Gb (768M x 64)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 48Gb (768M x 64) 1600MHz
  • Uhrfrequenz
    1600MHz
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR

MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR

Beschreibung: IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR

MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR

Beschreibung: IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B8DANK-DC

MT53B8DANK-DC

Beschreibung: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B768M64D8NK-053 WT:D

MT53B768M64D8NK-053 WT:D

Beschreibung: IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D

MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D

Beschreibung: IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B768M64D8NK-053 WT:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR

MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR

MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B

Beschreibung: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B

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Beschreibung: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B768M64D8WF-062 WT:D

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Beschreibung: IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B768M64D8WF-062 WT:D TR

MT53B768M64D8WF-062 WT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B8DANK-DC TR

MT53B8DANK-DC TR

Beschreibung: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Hersteller: Micron Technology
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MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR

Beschreibung: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B768M32D4NQ-062 WT:B

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Beschreibung: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D

MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D

Beschreibung: IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B768M32D4TT-062 WT:B

MT53B768M32D4TT-062 WT:B

Beschreibung: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B

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Beschreibung: IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

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