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MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR

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  • Artikelnummer
    MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 16G 2133MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR-ND
    MT53D512M32D2NP-046AAT:DTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Gb (512M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (512M x 32) 2133MHz
  • Uhrfrequenz
    2133MHz
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D TR

MT53D512M32D2NP-046 AUT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 2133MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D

Beschreibung: IC DRAM 16G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR

MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53D512M32D2NP-046 AIT:D

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Beschreibung: IC DRAM 16G 2133MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D

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Beschreibung: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1866MHZ

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MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D

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Beschreibung: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

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MT53D512M32D2DS-053 AAT:D

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1866MHZ

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MT53D512M32D2NP-046 AIT:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 16G 2133MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D

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Beschreibung: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 16G 1866MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

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MT53D512M32D2DS-053 WT:D

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