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MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

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  • Artikelnummer
    MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E-ND
    MT53D512M64D4NW-046WTES:E
  • Betriebstemperatur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    32Gb (512M x 64)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status
    Lead free
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
  • Uhrfrequenz
    2133MHz
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D

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Beschreibung: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 32G 2133MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53D512M64D4NW-046 WT:D

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Beschreibung: IC DRAM 32G 2133MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 32G 1866MHZ

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MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D

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Beschreibung: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

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