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MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR

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  • Artikelnummer
    MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 32G 2133MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR-ND
    MT53D512M64D4NZ-046WT:ETR
  • Betriebstemperatur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    32Gb (512M x 64)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
  • Uhrfrequenz
    2133MHz

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Beschreibung: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 32G 2133MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 32G 2133MHZ

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