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NAND256W3A0BN6F TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NAND256W3A0BN6F TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NAND256W3A0BN6F TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    50ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TSOP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Andere Namen
    NAND256W3A0BN6F
    NAND256W3A0BN6F TR-ND
    NAND256W3A0BN6FTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 50ns 48-TSOP
  • Basisteilenummer
    NAND256
  • Zugriffszeit
    50ns

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NAND16GW3D2BN6E

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NAND256W3A0BN6E

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NAND256W4A0AN6E

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Hersteller: STMicroelectronics
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NAND256W3A2BZAXE

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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NAND256W3A2BZA6E

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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NAND256W3A2BN6F TR

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Hersteller: Micron Technology
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NAND256W3A0AN6E

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Hersteller: STMicroelectronics
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NAND256W3A0AN6

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Hersteller: STMicroelectronics
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NAND256R3A2BZA6E

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NAND256W3A2BN6E

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NAND16GW3B6DPA6F TR

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Beschreibung: IC FLASH 16G PARALLEL 114LFBGA

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NAND256W3A0BZA6E

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NAND256W3A0AN6F

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NAND16GW3B6DPA6E

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NAND256W3A2BE06

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL WAFER

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NAND256W3A0BE06

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NAND256W3A2BN6F

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NAND256W3A2BNXE

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NAND16GW3F2AN6E

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