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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > 1N5631A
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25058661N5631A-Bild.Microsemi

1N5631A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5631A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 7.02V 12.1V DO13
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N5631A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    7.02V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    12.1V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    7.79V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-13
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-13
  • Andere Namen
    1N5631AMS
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    124A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "1N5631A" -Einziper.
1N5635A

1N5635A

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5629

1N5629

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 10.8V DO13

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
1N5636

1N5636

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5635

1N5635

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5627-TR

1N5627-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5631

1N5631

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5632A

1N5632A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5632

1N5632

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5627GPHE3/54

1N5627GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5633A

1N5633A

Beschreibung: TVS DIODE 8.55V 14.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5627GP-E3/73

1N5627GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5627GP-E3/54

1N5627GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5634

1N5634

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5629

1N5629

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5629A

1N5629A

Beschreibung: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5634A

1N5634A

Beschreibung: TVS DIODE 9.4V 15.6V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5630

1N5630

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5630A

1N5630A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5633

1N5633

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5636A

1N5636A

Beschreibung: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO13

Hersteller: Microsemi Corporation
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