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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5809US
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15434931N5809US-Bild.Microsemi

1N5809US

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$10.159
100+
$8.353
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5809US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N5809US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    875mV @ 4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

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Das Folgende sind "1N5809US" -Einziper.
1N5813

1N5813

Beschreibung: RECTIFIER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5811US

1N5811US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5809

1N5809

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5809US

1N5809US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5811US

1N5811US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5809US.TR

1N5809US.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5812

1N5812

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5808

1N5808

Beschreibung: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5806US

1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5811

1N5811

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5811TR

1N5811TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5806US

1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5807

1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5811C.TR

1N5811C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5807

1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5809

1N5809

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5812R

1N5812R

Beschreibung: RECTIFIER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5806TR

1N5806TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5807US

1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5807US

1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A

Hersteller: Semtech
vorrätig
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