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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > 1N6071
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1N6071

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vorrätig
100+
$23.657
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6071
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 165V 308V DO13
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N6071.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    165V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    308V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    180V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-13
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-13
  • Andere Namen
    1N6071MS
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    4.9A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Zahlung
Das Folgende sind "1N6071" -Einziper.
1N6076

1N6076

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6072

1N6072

Beschreibung: TVS DIODE 175V 344V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6070A

1N6070A

Beschreibung: TVS DIODE 160VWM 278VC DO13

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6066A

1N6066A

Beschreibung: TVS DIODE 110VWM 182VC DO13

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6069A

1N6069A

Beschreibung: TVS DIODE 150V 261V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6074US

1N6074US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6075

1N6075

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6075US

1N6075US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6067

1N6067

Beschreibung: TVS DIODE 121V 223V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6069

1N6069

Beschreibung: TVS DIODE 145V 274V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6068

1N6068

Beschreibung: TVS DIODE 137V 258V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6068A

1N6068A

Beschreibung: TVS DIODE 145VWM 245VC DO13

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6070

1N6070

Beschreibung: TVS DIODE 155V 292V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6067A

1N6067A

Beschreibung: TVS DIODE 128V 213V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6073US

1N6073US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6066

1N6066

Beschreibung: TVS DIODE 105V 191V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6071A

1N6071A

Beschreibung: TVS DIODE 170V 294V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6074

1N6074

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6072A

1N6072A

Beschreibung: TVS DIODE 185VWM 328VC DO13

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6073

1N6073

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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